镍铁合金材料Pt器件从LRS切换到HRS。当在1.8 ~ 2.2 V电压范围内增加电压发生软击穿时，器件由HRS切换为LRS。镍铁合金材料具有反尖晶石结构，其Fe-O键比Ni-O键更强，导致氧空位形成。显示了改变Fe3+和Ni2+离子的价态时的磁还原效应。氧空位和阳离子的还原可能导致磁化强度的降低和电导率的增加。由于氧空位的湮没(热效应驱动)和阳离子价的变化(复位过程中的氧化还原效应)导致了丝的断裂。图3(c)和(d)描述了镍铁合金材料薄膜中导电丝的形成和断裂过程。
利用熔体纺丝技术合成了厚度为~ 40 ~ 50 μm，长度为~ 1 ~ 2 cm的Cu50Mn25Al25-xGax (x = 0,2,4,8和10)合金。用Ga取代Al对合金体系的晶格常数和价电子比(e/a)没有明显的改变，这是值得关注的。讨论了热处理对Cu50Mn25Al25-xGax带磁性和相变行为的影响。研究了Cu50Mn25Al25-xGax合金中Ga取代后的结构/微观结构变化及其与磁性能的关系。研究镍铁合金材料Ga取代对Heusler相稳定性的影响。熔铸Cu50Mn25Al25-xGax (x = 0,2,4,8和10合金的XRD谱图所示。单一的赫斯勒阶段Cu2MnAl结构观察合金与x = 0, 2, 4, 8,而合金x = 10显示一些衍射峰对应于Cu9Al4类型阶段。
因此可以说，在Ga取代合金材料中也观察到了Heusler相，并且在x = 8时是稳定的。含x >的合金除形成Heusler相外，还析出了γ-Cu9Al4型额外晶相;8. 从x = 0到x = 8，合金的晶格参数略有增加。这是由于Ga和Al的原子大小几乎相等。表1显示了晶格参数随Ga含量的变化。当x = 10时，晶格参数没有明显的增加。8可能是由于Ga原子的过量，不再取代晶体结构中相应数量的Al原子。因此，Heusler相的晶格常数几乎保持不变。因此，镍铁合金材料中Ga原子只能在0≤x≤8的含量范围内替代Al原子。因此，x = 8是临界Ga浓度(xc)，超过此浓度的合金具有混合相。
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